2024年10月10日訊 —— 兩臺高數值孔徑（High NA）極紫外（EUV）光刻機近日在一家領先的芯片制造商的工廠內順利完成安裝。這兩臺設備每臺售價約為3.5億美元，是目前全球最先進且最昂貴的光刻機之一。

高數值孔徑EUV光刻機迅速部署

據悉，這兩臺高數值孔徑EUV光刻機已于去年年底運抵位于美國俄勒岡州的生產工廠，預計將在2025年年底開始投入生產。這些光刻機被認為是現有EUV技術的“升級版”，而非全新產品，使得其推出和采用速度相對較快。

“高數值孔徑EUV光刻機更像是現有EUV光刻機的升級款，我們期待其能夠快速推出和應用，”該公司新任首席執行官在近期的一次公開演講中表示。

創新組裝方法節省時間與成本

在近期舉辦的國際光學大會上，該公司新任首席執行官詳細介紹了高數值孔徑EUV光刻機的組裝新方法。這些設備現在可以在客戶現場進行組裝，而無需在制造商處預先組裝后再拆卸搬運。這一方法已在處理相對簡單的沉積和蝕刻工具時取得成功，對于高復雜度的光刻設備則仍在優化中。此舉預計將大幅節省時間和成本，加快高數值孔徑EUV光刻機的發展步伐。

模塊化設計提升通用性與效率

常規EUV光刻設備與高數值孔徑EUV光刻設備之間的主要區別在于鏡頭堆棧。通過模塊化設計，用戶可以在同一基本工具中更換不同類型的鏡頭堆棧，包括常規EUV鏡頭、高數值孔徑鏡頭及超高數值孔徑鏡頭。這種設計不僅提高了設備的通用性，還帶來了更多的成本節約和安裝時間的縮短，從而提升了整體利潤。

穩定電源與高效生產

高數值孔徑EUV光刻機所需的基礎設施已全部到位并開始運行，包括穩定的740瓦電源，未來將實現1000瓦的供電能力。此外，光掩模檢查系統也已啟動，確保設備無需過多輔助支持即可投入生產。

高掩模尺寸突破芯片性能

去年，一位芯片工藝專家在國際會議上提出將掩模尺寸從6英寸×6英寸擴大到6英寸×12英寸的想法。今年，該技術得到了多家光掩模基礎設施公司的大力支持。該公司表示，采用雙倍尺寸掩模對于行業來說是一個輕松的突破，預計將克服高數值孔徑技術在芯片尺寸上的限制，實現40%的性能提升。

高數值孔徑光刻機加速生產

另一位光刻總監透露，目前已有兩臺高數值孔徑EUV光刻機在波蘭的生產工廠安裝完畢。這兩臺系統展示了相較于標準EUV光刻機的顯著改進，預計安裝速度將比第一臺更快。所有必要的基礎設施已到位，光掩模檢查系統也已開始運行，使得高數值孔徑EUV光刻機能夠更快地投入生產。

行業內的反應與未來展望

盡管部分芯片制造商以成本為由暫緩接受高數值孔徑EUV光刻機，但業內分析人士預測，隨著技術的不斷進步和生產效率的提升，這些制造商將不得不跟進，以保持在行業內的競爭力。此外，有傳言稱，高數值孔徑光刻機的推出將有助于克服當前技術瓶頸，推動摩爾定律的持續發展。

此次會議對高數值孔徑EUV光刻機的推出及整體技術進步被視為利好消息，不僅有助于提升芯片制造的精度和效率，也對相關設備制造商的股價產生積極影響。隨著全球半導體市場對先進光刻技術需求的增加，高數值孔徑EUV光刻機的成功部署將進一步鞏固其在行業內的領先地位。